臺(tái)積電工藝節(jié)點(diǎn)

4nm比5nm提升大約25%的效能。

4nm制程將兼容5nm制程的設(shè)計(jì)規(guī)則，較5nm制程更有性價(jià)比優(yōu)勢，瞄準(zhǔn)的是下一波的5nm產(chǎn)品，計(jì)劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)。但臺(tái)積電4nm制程制程計(jì)劃大規(guī)模量產(chǎn)的2022年，3nm制程也將大規(guī)模量產(chǎn)，后者計(jì)劃量產(chǎn)的時(shí)間是2022年下半年。4nm是5nm制程的延伸，3nm制程則是5nm之后臺(tái)積電全新一代的芯片制程節(jié)點(diǎn)，晶體管密度較5nm將提升70%，運(yùn)行速度提升10%到15%，能效提升25%到30%。

臺(tái)積電 工藝

一、聯(lián)發(fā)科

1997年在臺(tái)灣成立，它是亞洲第一大的芯片設(shè)計(jì)公司，由此可見其實(shí)力，專注于無線通訊及數(shù)字多媒體等技術(shù)領(lǐng)域。

聯(lián)發(fā)科更是全球唯一橫跨無線通訊領(lǐng)域的IC設(shè)計(jì)、消費(fèi)性電子及信息科技的公司。

二、臺(tái)積電

它成立于1987年，是全球第一家專業(yè)晶圓代工企業(yè)。我們的理解是為華為和蘋果手機(jī)代工芯片?？梢哉f，它是世界上最大的半導(dǎo)體制造商。主要負(fù)責(zé)芯片制造。這種半導(dǎo)體芯片的制造過程非常復(fù)雜，需要高技術(shù)。世界上很少有公司能做到。例如，三星、廣發(fā)、中芯國際，但是臺(tái)積電是其中技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)。

總結(jié)：

把芯片比作大樓

聯(lián)發(fā)科是建筑設(shè)計(jì)師，但沒能力自己建房子，需要找臺(tái)積電這個(gè)承包商來建。

臺(tái)積電只是一個(gè)代工廠，聯(lián)發(fā)科公司設(shè)計(jì)出了天璣1000+ 然后找臺(tái)積電做出來。天璣芯片做出來了，然后根據(jù)之前簽的合同----比如和華米OV幾家簽的合同，誰要多少給送多少就完事。

臺(tái)積電工業(yè)工程

臺(tái)灣擁有兩個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)的巨頭：臺(tái)積電（TSMC)和臺(tái)聯(lián)電（UMC)。與早前我們提到的公司不同，這兩間公司并不生產(chǎn)它們自己的品牌，它們只是按單工作。這兩間公司通常被認(rèn)為是公平的玩家，但臺(tái)積電領(lǐng)先了競爭對手一步。臺(tái)積電成立于1987年，現(xiàn)在擁有7座200mm晶圓廠和2座300mm晶圓廠。目前它的最好生產(chǎn)技術(shù)是130nm - 使用了low-k 絕緣材料的8層銅互連技術(shù)，晶體管的門寬為80nm。這與其它對手來說毫不遜色，并且早在2000就開始 投產(chǎn)了，其中成功生產(chǎn)的產(chǎn)品有VIA C3。

臺(tái)積電技術(shù)節(jié)點(diǎn)

臺(tái)積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節(jié)點(diǎn)為基礎(chǔ)，以性能為重點(diǎn)的增強(qiáng)型工藝。臺(tái)積電表示，憑借N5、N4、N3和最新的N4P，臺(tái)積電客戶在其產(chǎn)品的性能、面積、成本和功耗等多方面都可以有非常靈活的工藝選擇。

N4P工藝是臺(tái)積電5nm制程節(jié)點(diǎn)的第三次重大改進(jìn)，性能比最早期的N5工藝提高了11%，也比N4工藝提高了6%。與N5工藝相比，還有22%的能效提升，以及6%的晶體管密度提升。在N4P工藝上，臺(tái)積電通過減少掩模數(shù)量，以降低工藝的復(fù)雜性，縮短了周期。隨著臺(tái)積電及其Open Innovation Platform合作伙伴的幫助，首批基于N4P工藝的產(chǎn)品可能會(huì)在2022年下半年流片。

臺(tái)積電工藝庫

arm是處理器的構(gòu)架制作公司，臺(tái)積電是制作nm工藝和科技的，高通是處理器制作公司。

ARM 與臺(tái)積電業(yè)務(wù)最簡單，一個(gè)負(fù)責(zé)移動(dòng)端處理器架構(gòu)，一個(gè)負(fù)責(zé)芯片代工

AMD 專注 PC處理器、服務(wù)器處理器與顯卡，以前還有自己的代工廠，后來拆分出去成立GF了。

臺(tái)積電工藝制程

雖然都是7nm、5nm、3nm,但其實(shí)也是不一樣的,從晶體管密度來看,三星不管在哪一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上,晶體管密度都比臺(tái)積電的低,比如三星的3nm,也就和臺(tái)積電5nm差不多。垍頭條萊

這就意味著同樣一塊芯片,同樣的晶體管數(shù)量下,采用三星的5nm工藝,要比臺(tái)積電的5nm工藝面積大,因?yàn)榫w管密度低一些,這樣就會(huì)導(dǎo)致成本上升,功耗增加等。萊垍頭條

而按照網(wǎng)上的說法,三星的5nm的工藝,良率還不到50%,遠(yuǎn)遜色于臺(tái)積電的5nm。條萊垍頭

所以這也是三星工藝不如臺(tái)積電的原因。萊垍頭條

臺(tái)積電加工

臺(tái)積電是半導(dǎo)體材料，芯片代加工。

臺(tái)積電新工藝

8gen1目前還沒有臺(tái)積電版的。

驍龍 8 Gen 1是高通推出的一款芯片。是高通首款使用ARM最新Armv9架構(gòu)的芯片。驍龍8 Gen 1芯片的制程工藝從驍龍888的三星5nm制程工藝升級(jí)到三星4nm制程工藝。北京時(shí)間2021年12月1日，高通正式發(fā)布驍龍8 Gen 1芯片。

有爆料說下半年高通還將會(huì)發(fā)布驍龍8 Gen1臺(tái)積電版本，使用的是臺(tái)積電4nm工藝，代號(hào)SM8475。但目前8gen1確實(shí)沒有臺(tái)積電版的，只有三星版的。

臺(tái)積電工藝路線

蘋果a18估計(jì)會(huì)在2024年上市。

目前蘋果最新的A13芯片處理器采用7nm制程工藝，迎來了不少好評(píng)。今年的iPhone 12系列也將采用A13處理器已經(jīng)毫無懸念了，這款處理器將會(huì)使用臺(tái)積電5nm工藝 ，新一代的iPad系列則會(huì)采用A14X處理器。

不出意外的話，未來幾年蘋果的CPU路線圖已經(jīng)制定完成，2024年我們就可以看到2nm工藝的A18處理器，這幾年蘋果處理器的IPC將會(huì)每年上升15-30％。在2021年蘋果會(huì)有適用于iPhone的5nm A15芯片處理器，2022年會(huì)有適用于iPhone的3nm A16芯片處理器，2023年會(huì)有適用于iPhone的3nm A17芯片處理器。