cmp工藝工程師是什么

CMP全稱為Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光，是半導(dǎo)體晶片表面加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。單晶硅片制造過(guò)程和前半制程中需要多次用到化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)。

與此前普遍使用的機(jī)械拋光相比，化學(xué)機(jī)械拋光能使硅片表面變得更加平坦，并且還具有加工成本低及加工方法簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì)，因而成為目前最為普遍的半導(dǎo)體材料表面平整技術(shù)。

CMP工藝流程

CSP有下列五種意思：

1、CSP

英文縮寫(xiě)：CSP

英文全稱：Certification Support Program

中文解釋：認(rèn)證支持項(xiàng)目

縮寫(xiě)分類：無(wú)法分類

縮寫(xiě)簡(jiǎn)介：森林認(rèn)證常用縮略語(yǔ)全稱

CSP

英文縮寫(xiě)：CSP

英文全稱：Compact strip production

中文解釋：緊湊式帶鋼生產(chǎn)線

縮寫(xiě)分類：工業(yè)工程

縮寫(xiě)簡(jiǎn)介：由德國(guó)西馬克公司開(kāi)發(fā)的一種薄板坯連鑄連軋生產(chǎn)線，目前（200年）市場(chǎng)份額最大。

2、CSP

英文縮寫(xiě)：CSP

英文全稱：Commerce Service Provider

中文解釋：商業(yè)性服務(wù)供應(yīng)商

縮寫(xiě)分類：電子電工

3、csp

英文縮寫(xiě)：csp

英文全稱：Continue Sampling Plan

中文解釋：連續(xù)抽樣計(jì)劃

縮寫(xiě)分類：經(jīng)濟(jì)管理、工業(yè)工程

縮寫(xiě)簡(jiǎn)介：在qc管控中重要的一個(gè)詞匯。

4、CSP

英文縮寫(xiě)：CSP

英文全稱：Control Signal Processor

中文解釋：控制信號(hào)處理機(jī)

縮寫(xiě)分類：電子電工

cmp

1、CMP是由美國(guó)斯坦福大學(xué)提出的，英文名稱是Chip multiprocessors,翻譯成中文就是單芯片多處理器,也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP（對(duì)稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個(gè)處理器并行執(zhí)行不同的進(jìn)程。與CMP比較， SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。

2、但是，當(dāng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)入0.18微米以后，線延時(shí)已經(jīng)超過(guò)了門(mén)延遲，要求微處理器的設(shè)計(jì)通過(guò)劃分許多規(guī)模更小、局部性更好的基本單元結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行。相比之下，由于CMP結(jié)構(gòu)已經(jīng)被劃分成多個(gè)處理器核來(lái)設(shè)計(jì)，每個(gè)核都比較簡(jiǎn)單，有利于優(yōu)化設(shè)計(jì)，因此更有發(fā)展前途。目前，IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP結(jié)構(gòu)。多核處理器可以在處理器內(nèi)部共享緩存，提高緩存利用率，同時(shí)簡(jiǎn)化多處理器系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

3、在微型計(jì)算機(jī)的匯編語(yǔ)言中，CMP(compare)是其中一條指令，叫做比較指令。cmp的功能相當(dāng)于減法指令，只是對(duì)操作數(shù)之間運(yùn)算比較，不保存結(jié)果。cmp指令執(zhí)行后，將對(duì)標(biāo)志寄存器產(chǎn)生影響。其他相關(guān)指令通過(guò)識(shí)別這些被影響的標(biāo)志寄存器位來(lái)得知比較結(jié)果。

cmp工藝介紹

CMP是工藝工程師職位。

職位描述:

1、負(fù)責(zé)存儲(chǔ)器試產(chǎn)及量產(chǎn)之CMP制程；

2、建立及改善制程條件

3、增進(jìn)制程能力及降低生產(chǎn)成本

4、新設(shè)備及材料的引進(jìn)計(jì)劃及評(píng)估

5、異常分析及改善

6、協(xié)助新進(jìn)工程師工作訓(xùn)練及指導(dǎo)

7、平日值班及假日輪班

任職要求:

1、本科及以上學(xué)歷,物理,化工,材料,電子電機(jī),理工相關(guān)；

2、2年以上半導(dǎo)體制程，CMP制程工作經(jīng)驗(yàn)；

3、溝通協(xié)調(diào)能力佳，抗壓性高優(yōu)先；

4、可配合值班及輪班作業(yè)為佳。

cmp工藝工程師和其他制程比

一、硅晶圓材料

　　晶圓是制作硅半導(dǎo)體 IC 所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是硅，芯片廠家用的硅晶片即為硅晶體，因?yàn)檎墓杈菃我煌暾木w，故又稱為單晶體。但在整體固態(tài)晶體內(nèi)，眾多小晶體的方向不相，則為復(fù)晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長(zhǎng)時(shí)的溫度，速率與雜質(zhì)都有關(guān)系。

　　二、光學(xué)顯影

　　光學(xué)顯影是在光阻上經(jīng)過(guò)曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到光阻 下面的薄膜層或硅晶上。光學(xué)顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對(duì)準(zhǔn)、 曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率，更在 IC 制程的進(jìn)步上，扮演著 最關(guān)鍵的角色。由于光學(xué)上的需要，此段制程之照明采用偏黃色的可見(jiàn)光。因此俗稱此區(qū)為 黃光區(qū)。

　　三、蝕刻技術(shù)

　　蝕刻技術(shù)（EtchingTechnology）是將材料使用化學(xué)反應(yīng)物理撞擊作用而移除的技術(shù)?？梢苑譃椋簼裎g刻（wetetching）：濕蝕刻所使用的是化學(xué)溶液，在經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)之后達(dá)到蝕刻的目的；干蝕刻（dryetching）：干蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產(chǎn)生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學(xué)反應(yīng)，甚至也可能是以上兩者的復(fù)合作用?，F(xiàn)在主要應(yīng)用等離子體刻蝕技術(shù)。

　　四、CVD 化學(xué)氣相沉積

　　化學(xué)氣相沉積（CVD）是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。

　　五、物理氣相沉積（PVD）

　　這主要是一種物理制程而非化學(xué)制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來(lái)，并使被濺擊出來(lái)的材質(zhì)（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。

　　六、離子植入（IonImplant）

　　離子植入技術(shù)可將摻質(zhì)以離子型態(tài)植入半導(dǎo)體組件的特定區(qū)域上，以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達(dá)預(yù)定的植入深度。離子植入制程可對(duì)植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控制?；旧希藫劫|(zhì)濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內(nèi)之總離子數(shù)）與掃瞄率（晶圓通過(guò)離子束之次數(shù)）來(lái)控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來(lái)決定。

　　七、化學(xué)機(jī)械研磨

　　晶圓制造中，隨著制程技術(shù)的升級(jí)、導(dǎo)線與柵極尺寸的縮小，光刻（Lithography）技術(shù)對(duì)晶圓表面的平坦程度（Non－uniformity）的要求越來(lái)越高，IBM 公司于 1985 年發(fā)展 CMOS 產(chǎn)品引入，并在 1990 年成功應(yīng)用于 64MB 的 DRAM 生產(chǎn)中。1995 年以后，CMP 技術(shù)得到了快速發(fā)展，大量應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨亦稱為化學(xué)機(jī)械拋光，其原理是化學(xué)腐蝕作用和機(jī)械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是機(jī)械加工中唯一可以實(shí)現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。

　　八、光罩檢測(cè)

　　光罩是高精密度的石英平板，是用來(lái)制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的制作。光罩必須是完美無(wú)缺，才能呈現(xiàn)完整的電路圖像，否則不完整的圖像會(huì)被復(fù)制到晶圓上。光罩檢測(cè)機(jī)臺(tái)則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進(jìn)的影像處理技術(shù)，捕捉圖像上的缺失。

　　九、清洗技術(shù)

　　清洗技術(shù)在芯片制造中非常重要。清洗的目的是去除金屬雜質(zhì)、有機(jī)物污染、微塵與自然氧化物；降低表面粗糙度；因此幾乎所有制程之前或后都需要清洗。份量約占所有制程步驟的 30％。

　　十、晶片切割

　　晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來(lái)說(shuō)：以 0．2 微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的 64M 微量。欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。

　　十一、焊線

　　IC 構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（IntegratedCircuit；簡(jiǎn)稱 IC），此制程的目的是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。最后整個(gè)集成電路的周?chē)鷷?huì)向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。

　　十二、封膠

　　封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過(guò)程為將導(dǎo)線架置于框架上并預(yù)熱，再將框架置于壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上，再以樹(shù)脂充填并待硬化。

　　十三、剪切／成形

　　剪切之目的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨(dú)立分開(kāi)，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹(shù)脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計(jì)好之形狀，以便于裝置于電路版上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機(jī)配上多套不同制程之模具，加上進(jìn)料及出料機(jī)構(gòu)所組成。

　　十四、測(cè)試和檢驗(yàn)

　　這些測(cè)試和檢驗(yàn)就是保證封裝好芯片的質(zhì)量，保證其良率。

CMP工藝工程師

CMP指令是單芯片多處理器，也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP（對(duì)稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個(gè)處理器并行執(zhí)行不同的進(jìn)程。

當(dāng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)入0.18微米以后，線延時(shí)已經(jīng)超過(guò)了門(mén)延遲，要求微處理器的設(shè)計(jì)通過(guò)劃分許多規(guī)模更小、局部性更好的基本單元結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行。

相比之下，由于CMP結(jié)構(gòu)已經(jīng)被劃分成多個(gè)處理器核來(lái)設(shè)計(jì)，每個(gè)核都比較簡(jiǎn)單，有利于優(yōu)化設(shè)計(jì)，因此更有發(fā)展前途，多核處理器可以在處理器內(nèi)部共享緩存，提高緩存利用率，同時(shí)簡(jiǎn)化多處理器系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

cmf工藝工程師

一、

首先你要會(huì)產(chǎn)品手繪、矢量圖工具、3D建模、渲染器、效果圖后期處理、提案排版，這樣才有個(gè)出方案的基礎(chǔ)能力。

以上隨便挑個(gè)3D建模大概說(shuō)下。產(chǎn)品犀牛、汽車(chē)CATIA、機(jī)械PEUG、視效C4D……

里面任何一個(gè)軟件沒(méi)有兩年不要說(shuō)精通，不然工作起來(lái)會(huì)打臉。

如果以上流程你都初步掌握了，恭喜你入門(mén)初級(jí)設(shè)計(jì)師了。畢業(yè)來(lái)深圳可以有月薪6000左右，二三線不了解。

這個(gè)時(shí)候你可以用工具熟練的表達(dá)自身想法了。但只會(huì)工具只能稱之為“美工”，也就是沒(méi)有自己想法，只是根據(jù)上級(jí)或甲方的意見(jiàn)去執(zhí)行而已。

二、你要了解生產(chǎn)工藝及CMF（配色、材質(zhì)、表面處理工藝）。

比如生產(chǎn)工藝有吹塑、注塑。配色有各種高級(jí)灰、潘通色。材質(zhì)有ABS、PP、PC。表面處理有拉絲、啞光、水轉(zhuǎn)印。

以上隨便一種工藝，沒(méi)有一個(gè)月的車(chē)間實(shí)際操作不要說(shuō)熟悉。只能說(shuō)大概了解，不然被工程師一問(wèn)就會(huì)問(wèn)住，打臉啪啪響。

如果以上你都做到了，恭喜你成為中級(jí)設(shè)計(jì)師，深圳月薪9000左右。

三、

接下來(lái)你要掌握的就不是技術(shù)層面了，而是要有溝通交流表達(dá)能力，也就是情商。

你要能談客戶，自己制定項(xiàng)目時(shí)程節(jié)點(diǎn)，自己把握控制項(xiàng)目成本（人力、時(shí)間、辦公場(chǎng)地租金、耗材）和純利潤(rùn)。

和客戶談好項(xiàng)目需求，并且保持良好的社交情感關(guān)系，發(fā)展為長(zhǎng)期客戶，這一步因時(shí)間限制不再詳細(xì)介紹。

如果你掌握以上全部，那么恭喜你已經(jīng)和我一樣是高級(jí)設(shè)計(jì)師了。

高級(jí)設(shè)計(jì)師待遇波動(dòng)很大，主要看平臺(tái)而不是你自身能力。深圳普遍10000—20000之間，談薪資要好好談，工作慢慢找不著急。

四、

這一行很苦逼，加班相當(dāng)嚴(yán)重。加班時(shí)間和IT持平，但薪資比不上IT。因此轉(zhuǎn)行率極高，堅(jiān)持下來(lái)的身體健康也不太好。

項(xiàng)目結(jié)果是好是壞，不是由你的努力決定。而是由甲方和上級(jí)的復(fù)雜情況決定，比如審美不喜歡、資金斷裂、合作關(guān)系終止等等。

如果想繼續(xù)往上爬，就要進(jìn)入主管這樣的管理層。

cmp設(shè)備工程師是干嘛的

有前程，可以選擇去國(guó)外留學(xué)，再成為高級(jí)工程師就業(yè)

cmp工程師發(fā)展前景

CMP是單芯片多處理器。

在CMP系統(tǒng)中，位于同一個(gè)芯片內(nèi)部所有處理器內(nèi)核以平等的身份參與任務(wù)調(diào)度和中斷處理，共享內(nèi)存和外部設(shè)備，而且也可以共享片內(nèi)的 （部分或全部）高速緩存。

CMP的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可以直接使用現(xiàn)有的處理器內(nèi)核，因此開(kāi)發(fā)周期與成本相對(duì)較低，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單帶來(lái)的另一個(gè)好處是更易獲得高的主頻。由于多個(gè)處理器集成在 一塊芯片上，且共享cache，微處理器之間的通信延遲會(huì)明顯降低，有利于提高系統(tǒng)的整體性能。因此，CMP具有良好的發(fā)展前景和廣泛的應(yīng)用空間，眾多著 名大學(xué)、科研機(jī)構(gòu)和商業(yè)公司都展開(kāi)了廣泛而積極的研究。

而要想真正發(fā)揮CMP的優(yōu)勢(shì)，軟件，特別是操作系統(tǒng)和編譯工具等系統(tǒng)軟件的支持至關(guān)重要，沒(méi)有這些軟件，CMP將處于“空轉(zhuǎn)”狀態(tài)。因此，每一個(gè)CMP系統(tǒng)都需要為其量身打造的系統(tǒng)軟件。

cmp工程師主要做什么

在綜合布線的應(yīng)用中，由于各布線廠商都有自己的防火系列纜線，因此廠商的銷售人員和銷售工程師們會(huì)向設(shè)計(jì)院和建筑物的業(yè)主方介紹各種防火的綜合布線纜線，由他們確定綜合布線系統(tǒng)的防火系列要求。

一般來(lái)說(shuō)，普通建筑物采用的是普通阻燃級(jí)纜線，重要的建筑物則采用了高防火等級(jí)的纜線（例如：CMR、CMP、LSOH、ONFR、ONFP等等）。

光纖光纜我們工程布線一般用菲尼特的，主要因?yàn)檫_(dá)標(biāo)性價(jià)比高。