封裝工藝流程

晶圓生產(chǎn)：包含硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型三個(gè)步驟，目前國(guó)際主流是8英寸晶圓，部分晶圓廠12英寸產(chǎn)線逐步投產(chǎn)，晶圓尺寸越大，良品率越高，最終生產(chǎn)的單個(gè)器件成本越低，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力越大

芯片設(shè)計(jì)：IGBT制造的前期關(guān)鍵流程，目前主流的商業(yè)化產(chǎn)品基于Trench-FS設(shè)計(jì)，不同廠家設(shè)計(jì)的IGBT芯片特點(diǎn)不同，表現(xiàn)在性能上有一定差異

芯片制造：芯片制造高度依賴(lài)產(chǎn)線設(shè)備和工藝，全球能制造出頂尖光刻機(jī)的廠商不足五家；要把先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)在工藝上實(shí)現(xiàn)有非常大的難度，尤其是薄片工藝和背面工藝，目前這方面國(guó)內(nèi)還有一些差距

器件封裝：器件生產(chǎn)的后道工序，需要完整的封裝產(chǎn)線，核心設(shè)備依賴(lài)進(jìn)口。

IGBT為垂直導(dǎo)電大功率器件，IGBT晶圓厚度決定了其器件的耐壓水平。由于IGBT晶圓原材料厚度較厚，只適用于生產(chǎn)高壓IGBT芯片，對(duì)于中低壓IGBT芯片，需要使用減薄工藝對(duì)IGBT晶圓進(jìn)行減薄。減薄工藝是使用帶有一定大小顆粒的研磨輪對(duì)晶圓進(jìn)行研磨，研磨后會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生凹凸不平的研磨紋，晶圓表層內(nèi)部結(jié)構(gòu)將會(huì)被破壞，產(chǎn)生大量暗紋、缺陷(損傷層)，這些暗紋和缺陷分布在晶圓表層一定的厚度內(nèi)，且分布不規(guī)則、不均勻。

這些缺陷在IGBT芯片中會(huì)產(chǎn)生載流子復(fù)合中心，不均勻的缺陷分布會(huì)使IGBT芯片電學(xué)性能不穩(wěn)定，而且缺陷與暗紋會(huì)造成應(yīng)力，應(yīng)力會(huì)使減薄后的晶圓彎曲，翹曲度變大，給后續(xù)工藝帶來(lái)較大的困難。

to封裝工藝流程

46 56 代表TO的直徑（mm）

芯片封裝工藝流程

multisim是元件功能仿真軟件，所以并不會(huì)考慮封裝的問(wèn)題，如果確定要用到封裝，那么可以嘗試把元器件的模型導(dǎo)入multisim，這樣元件就有了封裝信息。分為以下9個(gè)步驟： 1、輸入元器件信息； 2、輸入封裝信息； 3、輸入符號(hào)信息； 4、設(shè)置管腳參數(shù)； 5、設(shè)置符號(hào)與布局封裝間的映射信息； 6、載入仿真模型 ； 7、實(shí)現(xiàn)符號(hào)管腳至模型節(jié)點(diǎn)的映射； 8、將元器件保存到數(shù)據(jù)庫(kù)中； 9、測(cè)試修改新載入的元器件。 Multisim是美國(guó)國(guó)家儀器（NI）有限公司推出的以Windows為基礎(chǔ)的仿真工具，適用于板級(jí)的模擬/數(shù)字電路板的設(shè)計(jì)工作。它包含了電路原理圖的圖形輸入、電路硬件描述語(yǔ)言輸入方式，具有豐富的仿真分析能力。

BGA封裝工藝流程

1. 芯片開(kāi)裂

芯片中存在大量的電源、地和I/O端口等金屬化布線，當(dāng)器件的芯片開(kāi)裂時(shí)，芯片的裂縫和錯(cuò)位會(huì)造成電源、地和I/O端口發(fā)生短路、開(kāi)路等問(wèn)題，從而導(dǎo)致器件失效。掃描聲學(xué)顯微鏡可以無(wú)損地探測(cè)出芯片是否存在開(kāi)裂。

2. 內(nèi)部粘接界面分層

器件內(nèi)部粘接界面分層可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部微焊點(diǎn)斷裂，造成器件開(kāi)路失效。當(dāng)器件在儲(chǔ)存、運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程中潮敏管控不當(dāng)，使器件受潮進(jìn)水時(shí)，水在回流焊的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生爆米花效應(yīng)，導(dǎo)致內(nèi)部粘接界面分層，造成內(nèi)部微焊點(diǎn)撕裂斷開(kāi)，從而導(dǎo)致器件開(kāi)路失效。掃描聲學(xué)顯微鏡可以迅速診斷內(nèi)部粘接界面分層的失效機(jī)理。

3. 內(nèi)部微焊點(diǎn)重熔短路

內(nèi)部微焊點(diǎn)是端口在芯片與基板之間的電連接。當(dāng)器件粘接界面分層時(shí)，內(nèi)部微焊點(diǎn)在回流焊的過(guò)程中熔融，會(huì)脫離下填料的束縛而發(fā)生重熔，造成芯片不同的端口橋連，從而導(dǎo)致器件短路失效

傳統(tǒng)封裝工藝流程

是QFP封裝吧...... 四方扁平封裝（QFP）其實(shí)是微細(xì)間距、薄體LCC，在正方或長(zhǎng)方形封裝的四周都有引腳。

其管腳間距比PLCC的0.050英寸還要細(xì)，引腳呈歐翅型與PLCC的J型不同。QFP可以是塑料封裝，可以是陶瓷封裝，塑料QFP通常稱(chēng)為PQFP。PQFP有二種主要的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)的連接電子器件委員會(huì)(Joint Electronic Device Committee, JEDEC)注冊(cè)的PQFP是角上有凸緣的封裝，以便在運(yùn)輸和處理過(guò)程中保護(hù)引腳。在所有的引腳數(shù)和各種封裝體尺寸中，其引腳間距是相同的，都為0.025英寸。日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIAJ)注冊(cè)的PQFP沒(méi)有凸緣，其引腳間距用米制單位，并有三種不同的間距：1.0mm，0.8mm和0.65mm，八種不同的封裝體尺寸，從10mm*10mm到40mm*40mm，不規(guī)則地分布到三種不同的引腳間距上，提供十五種不同的封裝形式，其引腳數(shù)可達(dá)232個(gè)。隨著引腳數(shù)的增加，還可以增加封裝的類(lèi)型,同一模塊尺寸可以有不同的引腳數(shù)目，是封裝技術(shù)的一個(gè)重要進(jìn)展，這意味著同一模具、同一切筋打彎工具可用于一系列引腳數(shù)的封裝。但是，EIAJ的PQFP沒(méi)有凸緣，這可能會(huì)引起麻煩，因?yàn)樵谶\(yùn)輸過(guò)程中，必須把這些已封裝好的器件放在一個(gè)特別設(shè)計(jì)的運(yùn)輸盒中，而JEDEC的PQFP只要置于普通的管子里就可以運(yùn)輸，因?yàn)橥咕壙梢允顾鼈儽苊饣ハ嗯鲎?。EIAJ的PQFP的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)還為將來(lái)高引腳數(shù)封裝的互連密度帶來(lái)好處。當(dāng)引腳數(shù)大于256時(shí)，在0.100英寸間距的電路板上，長(zhǎng)方形外形可達(dá)到較高的互連密度，這是因?yàn)橹苓叺囊恍┮_可以通過(guò)模塊下的通孔轉(zhuǎn)換成平面引腳，達(dá)到PGA的互連密度。在正方形結(jié)構(gòu)中，并非所有模塊下的通孔均可以插入，必須有一些芯片的連接要轉(zhuǎn)換到模塊外形的外面，提高其有效互連面積。長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)可以使短邊引腳數(shù)少于64個(gè)、引腳間距不大于0.025英寸(1mm)的所有引腳都插入模塊底下的通孔中。PQFP最常見(jiàn)的引腳數(shù)是84、100、132、164和196。樓上說(shuō)的BGA技術(shù)是指另一種封裝技術(shù).但是BGA的封裝技術(shù)是在模塊底部或上表 面焊有許多球狀凸點(diǎn)，通過(guò)這些焊料凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)封裝體與基板之間互連的.就像電腦的CPU是沒(méi)有引腳的!樓主所發(fā)的圖片看到的全是引腳,哪來(lái)的凸點(diǎn)?

ic封裝工藝流程

IC封裝的基本原理:一方面，集成電路封裝起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用。另一方面，它通過(guò)芯片上的觸點(diǎn)連接到封裝外殼的引腳，這些引腳通過(guò)印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件連接，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。

　　同時(shí)，芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕導(dǎo)致電氣性能下降。在集成電路封裝過(guò)程中，芯片表面的氧化物和顆粒污染物會(huì)降低產(chǎn)品質(zhì)量。如果在封裝過(guò)程中，在加載、引線鍵合和塑料固化之前進(jìn)行等離子清洗處理，可以有效去除這些污染物。

晶圓級(jí)封裝工藝流程

可以制造封裝一體化。

晶圓是能夠?qū)崿F(xiàn)制和造封裝一體化的。晶圓在進(jìn)行光刻、蝕刻等工藝后，與封裝測(cè)試之間僅差切割工序，從技術(shù)角度沒(méi)有任何問(wèn)題。比如英特爾芯片就是從晶圓進(jìn)行芯片制造到封裝測(cè)試一體化的。不過(guò)封裝在芯片制造技術(shù)中屬于低端技術(shù)，所以即使英特爾也會(huì)外包一部分封裝測(cè)試工序，而其他代工廠商通常也會(huì)選擇封裝測(cè)試由其他廠商代勞。

sip封裝工藝流程

賀利氏電子有超過(guò)50年的豐富經(jīng)驗(yàn)，可為電子封裝行業(yè)提供最佳的材料，包括：用于電觸頭的復(fù)合帶材、用于混合技術(shù)的厚膜材料、精密模壓件（引線框架）和鍵合線、系列廣泛的電子材料（焊膏、SMT粘合劑、可鍵合的復(fù)合材料、焊粉、燒結(jié)膏）、帶預(yù)涂焊料的DCB等。

半導(dǎo)體封裝工藝流程

半導(dǎo)體封裝是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。封裝過(guò)程為：來(lái)自晶圓前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝后被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金錫銅鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹(shù)脂將晶片的接合焊盤(pán)（Bond Pad）連接到基板的相應(yīng)引腳（Lead）,并構(gòu)成所要求的電路；然后再對(duì)獨(dú)立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，塑封之后還要進(jìn)行一系列操作，封裝完成后進(jìn)行成品測(cè)試，通常經(jīng)過(guò)入檢Incoming、測(cè)試Test和包裝Packing等工序，最后入庫(kù)出貨。 半導(dǎo)體封裝一般用到點(diǎn)膠機(jī)+膠水環(huán)氧樹(shù)脂，焊機(jī)+焊膏。典型的封裝工藝流程為：劃片、裝片、鍵合、塑封、去飛邊、電鍍、打印 、切筋和成型 、外觀檢查、 成品測(cè)試 、包裝出貨。 0

igbt封裝工藝流程

有，該公司有此業(yè)務(wù)。

該公司在上市公司投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司國(guó)內(nèi)工廠目前有從事IGBT封裝業(yè)務(wù)，主要面向汽車(chē)電子和工業(yè)領(lǐng)域。

長(zhǎng)電科技是中國(guó)著名的分立器件制造商，集成電路封裝生產(chǎn)基地，中國(guó)電子百?gòu)?qiáng)企業(yè)之一，國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)和中國(guó)自主創(chuàng)新能力行業(yè)十強(qiáng)。

MEMS封裝工藝流程

玻璃晶圓是隨著半導(dǎo)體、光學(xué)等領(lǐng)域高新技術(shù)的發(fā)展而出現(xiàn)的一種新型玻璃制品，相比于傳統(tǒng)的玻璃鏡片、玻璃晶圓具有表面質(zhì)量要求更高、尺寸更薄、加工精度更精密、表面光潔程度要求更嚴(yán)苛等特點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，如光刻機(jī)，等離子刻蝕機(jī)，是針對(duì)半導(dǎo)體材料晶圓，特別是硅晶圓設(shè)計(jì)的，機(jī)械手普遍采用850nm紅光傳感器?？涛g設(shè)備工作臺(tái)主流是靜電吸附被加工的晶圓。常用的光學(xué)材料如石英玻璃、K9玻璃，在紅光是透過(guò)的，傳感器無(wú)法探測(cè)，在半導(dǎo)體設(shè)備上無(wú)法傳送，同時(shí)由于是絕緣材料，在靜電場(chǎng)中不產(chǎn)生感應(yīng)電荷，因而無(wú)法在常規(guī)等離子刻蝕設(shè)備上工藝。為了解決該問(wèn)題，通常采用在晶圓表面覆蓋金屬膜的方法，存在以下技術(shù)缺陷：金屬膜容易被機(jī)械手劃傷，同時(shí)金屬離子會(huì)沾污機(jī)械手，導(dǎo)致成品率低，嚴(yán)重的甚至?xí)?bào)廢整批產(chǎn)品；如果改造設(shè)備，耗資巨大，會(huì)影響原來(lái)的硅晶圓產(chǎn)線。

如何設(shè)計(jì)一種玻璃晶圓結(jié)構(gòu)，如何使晶圓在半導(dǎo)體設(shè)備上正常加工，如何金屬膜不易被機(jī)械手劃傷，成為急需解決的問(wèn)題。